當我們還沉醉在LCD瘋狂降價的欣喜中,當我們還對著48寸的大螢幕電漿驚嘆不已的時候,而一種更先進、性能更優秀的技術已經悄然入市,而帶來這一新技術的,就是我們數字影像領域裡赫赫有名的兩大巨頭:佳能和東芝。




佳能與東芝合資成立的“SED公司在美國波士頓的2005年顯示資訊學會(SID 2005)上發表演講時,公佈了SED面板電子發射源的製造工藝。此次首次談到,在“通電成形處理”的基礎上,通過採用“通電活性化處理”工序,形成電子發射部分。由此,就能在形成電極部分的元件膜上形成4nm∼6nm的裂縫,從而就能在十幾伏的低電壓下發射電子。

這項最新的技術名為SED顯像技術,其全稱是Surface-conduction
Electron-emitter Display

,中文名字是表面傳導電子發射式顯示器。 























此項技術的顯像原理與傳統的顯像管相似,同樣利用電子撞擊螢光物質來呈現畫面,所以它擁有了傳統CRT的全部優點,
其顏色重現達
到了無窮色,對比度和亮度同樣擁有映像管的特性, 輕易達到高亮度和高對比度的畫質重現。


在裂縫部位堆積碳



  成形工序是:通過在電極上利用噴墨技術形成的PdO(氧化鈀)元件膜上施加脈衝電壓,形成裂紋。不過,僅靠成形工序只能在元件膜上得到亞微米級的裂縫,幾乎得不到元件電流(裂縫之間傳導的隧道電流)。據稱,在成形工序之後,通過採用通電活性化處理工序,就能使亞微米級裂縫縮小到4nm∼6nm左右,從而就能得到足夠的元件電流。




  通電活性化處理就是指在有機氣體中向元件膜連續通電的工序。經過該工序的處理,由有機氣體分解而成的碳元素就會堆積在裂縫附近,從而就能使亞微米級裂縫變成納米級。裂縫縮小到納米級以後,電場強度就會增大,由此就能在更低的電壓上得到大電流。




電子發射效率超過3%



  作為利用通電成形和通電活性化處理2道工序所形成的電子發射源的特性,據稱在10kV的加速電壓下能夠得到30mA/cm2的電流密度。作為元件電流與發射電流之比的電子發射效率超過了3%。




  在演講中,SED公司還出示了有關電子發射源可靠性(壽命)的數據。在加速試驗中經過6萬個小時以後,電流密度僅僅下降了10%。也就是說,SED面板的壽命並不取決於電子發射源,而是取決於螢光材料的壽命。



SED
LCDPDP的性能對較這個SED的技術,把原映像管的電子槍發射系統進行了改良,由原來的單一電子發射途徑進行了徹底的摒棄,改用大面積的電子發射板進行電子的發射,使顯像部件的厚度得到了空前的「瘦身」,SED成功地把厚度控制在同等尺寸的電漿和液晶螢幕的一半。







最讓人振奮的是,由於電子源與螢光粉的距離得到了大大的縮短,所以其能耗得到了有效的控制,在同樣的尺寸下,它的能耗只相當於液晶的1/2,更是電漿顯示器能耗的1/3





SED
的螢幕部份

基於SED技術的顯示器將很快就可以大量生產,這意味著液晶與電漿已經出現了暗涌,顯示領域也許又會發生一起天翻地覆的革命,讓我們拭目以待。


東芝電子產品部首席執行官Takeshi
Nakagawa說﹐根據計劃新型電視將于2005年進入市場﹐估計初期數量很少價格較高。同時﹐佳能和東芝生產部都顯示在2005年8月推出55寸以上的新型SED電視計劃。



東芝認為這項技術將可以取代現有的電漿電視技術(PDP)﹐又被稱為等離子體顯示屏﹐特別是在40寸以上的大型扁平電視機市場。公司已經決定在2007年以後逐步淘汰電漿電視(PDP)。



另一項正在開發的顯示屏技術是OLED(有機體發光二極管)﹐該技術目前已經被應用于小屏幕產品如手機顯示屏﹐但技術發展還沒有達到生產大屏幕電視的程度。



SONY公司正在開發的FED (Field Emission Display) 場效應發光顯示技術也沒有達到商業化程度。





此處有簡介






http://www.canon.com/technology/detail/device/sed_display/
 

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主題: 電漿(PDP)與液晶(LCD)遭遇強勁對手-- SED樣機驚現訂閱回應

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文章:1703
來自:台北市

  

  



當我們還沉醉在LCD瘋狂降價的欣喜中,當我們還對著48寸的大螢幕電漿驚嘆不已的時候,而一種更先進、性能更優秀的技術已經悄然入市,而帶來這一新技術的,就是我們數字影像領域裡赫赫有名的兩大巨頭:佳能和東芝。





佳能與東芝合資成立的“SED公司在美國波士頓的2005年顯示資訊學會(SID 2005)上發表演講時,公佈了SED面板電子發射源的製造工藝。此次首次談到,在“通電成形處理”的基礎上,通過採用“通電活性化處理”工序,形成電子發射部分。由此,就能在形成電極部分的元件膜上形成4nm∼6nm的裂縫,從而就能在十幾伏的低電壓下發射電子。

這項最新的技術名為SED顯像技術,其全稱是Surface-conduction
Electron-emitter Display

,中文名字是表面傳導電子發射式顯示器。 























此項技術的顯像原理與傳統的顯像管相似,同樣利用電子撞擊螢光物質來呈現畫面,所以它擁有了傳統CRT的全部優點,
其顏色重現達
到了無窮色,對比度和亮度同樣擁有映像管的特性, 輕易達到高亮度和高對比度的畫質重現。


在裂縫部位堆積碳



  成形工序是:通過在電極上利用噴墨技術形成的PdO(氧化鈀)元件膜上施加脈衝電壓,形成裂紋。不過,僅靠成形工序只能在元件膜上得到亞微米級的裂縫,幾乎得不到元件電流(裂縫之間傳導的隧道電流)。據稱,在成形工序之後,通過採用通電活性化處理工序,就能使亞微米級裂縫縮小到4nm∼6nm左右,從而就能得到足夠的元件電流。




  通電活性化處理就是指在有機氣體中向元件膜連續通電的工序。經過該工序的處理,由有機氣體分解而成的碳元素就會堆積在裂縫附近,從而就能使亞微米級裂縫變成納米級。裂縫縮小到納米級以後,電場強度就會增大,由此就能在更低的電壓上得到大電流。




電子發射效率超過3%



  作為利用通電成形和通電活性化處理2道工序所形成的電子發射源的特性,據稱在10kV的加速電壓下能夠得到30mA/cm2的電流密度。作為元件電流與發射電流之比的電子發射效率超過了3%。




  在演講中,SED公司還出示了有關電子發射源可靠性(壽命)的數據。在加速試驗中經過6萬個小時以後,電流密度僅僅下降了10%。也就是說,SED面板的壽命並不取決於電子發射源,而是取決於螢光材料的壽命。



SED
LCDPDP的性能對較這個SED的技術,把原映像管的電子槍發射系統進行了改良,由原來的單一電子發射途徑進行了徹底的摒棄,改用大面積的電子發射板進行電子的發射,使顯像部件的厚度得到了空前的「瘦身」,SED成功地把厚度控制在同等尺寸的電漿和液晶螢幕的一半。







最讓人振奮的是,由於電子源與螢光粉的距離得到了大大的縮短,所以其能耗得到了有效的控制,在同樣的尺寸下,它的能耗只相當於液晶的1/2,更是電漿顯示器能耗的1/3





SED
的螢幕部份

基於SED技術的顯示器將很快就可以大量生產,這意味著液晶與電漿已經出現了暗涌,顯示領域也許又會發生一起天翻地覆的革命,讓我們拭目以待。


東芝電子產品部首席執行官Takeshi
Nakagawa說﹐根據計劃新型電視將于2005年進入市場﹐估計初期數量很少價格較高。同時﹐佳能和東芝生產部都顯示在2005年8月推出55寸以上的新型SED電視計劃。



東芝認為這項技術將可以取代現有的電漿電視技術(PDP)﹐又被稱為等離子體顯示屏﹐特別是在40寸以上的大型扁平電視機市場。公司已經決定在2007年以後逐步淘汰電漿電視(PDP)。



另一項正在開發的顯示屏技術是OLED(有機體發光二極管)﹐該技術目前已經被應用于小屏幕產品如手機顯示屏﹐但技術發展還沒有達到生產大屏幕電視的程度。



SONY公司正在開發的FED (Field Emission Display) 場效應發光顯示技術也沒有達到商業化程度。





此處有簡介


 

     發表日期:2005/6/20 上午 05:33:00
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文章:1703
來自:台北市

  

  

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序號:718   發表日期:星期一2005/6/20 上午 05:34:00   

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